Artikel vom 08.03.2012, Druckdatum 22.11.2024

Neues Kristallisations- und Wafertechnikum am Fraunhofer THM

Am Fraunhofer-Technologiezentrum für Halbleitermaterialien THM in Freiberg (Sachsen) ist ein neues Kristallisations- und Wafertechnikum eingerichtet worden. Forschungsschwerpunkte im neuen Technikum sind die kostengünstigere Herstellung von Kristallmaterialien und daraus gefertigten Wafern, z.B. Silizium für die Mikroelektronik und Photovoltaik sowie Galliumnitrid für die Energieelektronik, bei gleichzeitig verbesserten Materialeigenschaften.

Im neuen Technikum wird an Halbleitermaterialien mit verbesserten Eigenschaften und an effizienteren Fertigungsmethoden sowie neuen Elektronikwerkstoffen geforscht. „So wie bei der Kristallzüchtung ein „Keimkristall“ erforderlich ist, so kann man das Frauenhofer-Technologiezentrum Halbleitermaterialien als Wachstumskern für neue Verfahren, Materialien und Technologien in der Mikroelektronik und Photovoltaik betrachten“, so Sachsens Staatssekretär für Wissenschaft und Kunst, Henry Hasenpflug bei der offiziellen Eröffnung am 7. März 2012.

Das 2005 gegründete Fraunhofer-Technologiezentrum für Halbleitermaterialien THM ergänzt mit seiner Forschung die Entwicklungsaufgaben der in Freiberg konzentrierten Halbleiterindustrie. Nach mehr als zweijähriger Planungs- und Bauzeit wurde nun dort das Kristallisations- und Wafertechnikum für Halbleitermaterialien eingeweiht. Der neue Laborbereich, der 9,9 Millionen Euro gekostet hat, wurde zu 60 Prozent aus EU-Mitteln des EFRE-Programms und zu jeweils 20 Prozent durch das Bundesministerium für Bildung und Forschung und durch das Land Sachsen finanziert. Bis Ende des Jahres werden insgesamt 20 Mitarbeiterinnen und Mitarbeiter am Fraunhofer THM beschäftigt sein.

Forschungsschwerpunkte im neuen Technikum sind die kostengünstigere Herstellung von Kristallmaterialien und daraus gefertigten Wafern, z.B. Silizium für die Mikroelektronik und Photovoltaik sowie Galliumnitrid für die Energieelektronik, bei gleichzeitig verbesserten Materialeigenschaften. Leistungsfähige Halbleitermaterialien sind die Grundlage für eine moderne Energieversorgung, denn mit ihnen lässt sich Energie effizient und nachhaltig erzeugen, übertragen, wandeln und speichern.

„Eine erfreulich enge Zusammenarbeit verbindet die TU Bergakademie Freiberg mit dem Fraunhofer-Technologiezentrum für Halbleitermaterialien THM“, sagte Dirk Meyer, Professor für Physik und Prorektor für Bildung an der TU Bergakademie Freiberg. „Für das Bestreben der Bergakademie, im Materialbereich in Forschung und Lehre eine abgeschlossene Innovationskette von der Mineralogie über die Festkörperphysik und Chemie bis hin zur Werkstofftechnologie zu erhalten und weiterzuentwickeln, bedeutet unsere Zusammenarbeit mit dem THM eine gelungene Synthese von akademischer Forschung und Lehre und technologischer Anwendung“, so Prof. Meyer.

„Die von der Bundesregierung eingeleitete Energiewende in Deutschland wird große Anstrengungen in allen gesellschaftlichen Bereichen erfordern. Neben der eigentlichen Gewinnung regenerativer Energien besitzt dabei die intelligente und sichere Verteilung sowie die Einsparung elektrischer Energie eine besondere Bedeutung. All dies wird sich nur durch maßgeschneiderte Lösungen in der Mikro- und Leistungselektronik realisieren lassen. Eine Schlüsselposition nehmen hierbei hochqualitative und kostengünstige Elektronik-Werkstoffe ein, die in Form von Kristallmaterialien und daraus gefertigten Wafern eingesetzt werden“, so Jochen Friedrich, stellvertretender Leiter und Sprecher des Fraunhofer THM in Freiberg.

Das Fraunhofer THM ist eine gemeinsame Abteilung der Fraunhofer-Institute IISB in Erlangen und ISE in Freiburg und kooperiert mit der TU Bergakademie Freiberg und der Halbleiterindustrie, um den Standort Freiberg auf dem Gebiet der Elektronikmaterialherstellung zu unterstützen und zu stärken.

Quelle: Fraunhofer-Technologiezentrum für Halbleitermaterialien THM
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