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24.08.2010

centrotherm photovoltaics: Neue Effizienzwerte durch verbesserten Kristallisationsprozess

Durch einen weiter verbesserten Prozess im Kristallisationsofen zur Produktion von multikristallinen Ingots hat die centrotherm SiTec GmbH, eine hundertprozentige Tochter der centrotherm photovoltaics AG (Blaubeuren), einen neuen Spitzenwert bei Zelleffizienz erreicht. Unter regulären Produktionsbedingungen wurden auf einer Pilotlinie für Solarzellen mittlere Effizienzwerte von 16,6 Prozent mit Spitzenwerten von bis zu 17,0 Prozent erzielt – bei sonst marktüblichen Mittelwerten von 16,2 bis 16,4 Prozent auf multikristallinem Material.

Außerdem konnte centrotherm SiTec Unternehmensangaben zufolge mit dem neuen Kristallisationsprozess zusätzlich die Herstellkosten um acht Prozent verglichen mit der früheren Prozessfolge senken. Auf Modulebene wurden Werte von rund 236 Wattpeak (Wp) erreicht – bei sonst marktüblichen 210 bis 220 Wp pro Modul.

„Damit geht unsere Strategie auf und unsere Arbeit trägt Früchte im Hinblick auf Effizienzsteigerungen und optimierter Prozesse bei gleichzeitiger Reduktion der Herstellkosten entlang der gesamten solaren Wertschöpfungskette“, sagt Dr. Albrecht Mozer, CEO von centrotherm SiTec. „Wir sind der einzige vollintegrierte Equipmentanbieter, der die komplette photovoltaische Wertschöpfungskette von der Polysiliziumproduktion bis hin zur Solarzellen und Modulfertigung abdeckt und die Prozessschritte bestmöglich aufeinander anpasst und sehr gezielt verbessert.“

Im Kristallisationsofen werden in einem Quarztiegel zunächst Polysiliziumstücke bei mehr als 1.450 Grad Celsius geschmolzen, heißt es in der entsprechenden Pressemitteilung. Danach wird die Siliziumschmelze mittels gerichteter Erstarrung zu multikristallinen Ingots umgewandelt. Aus diesen kristallisierten Siliziumblöcken werden anschließend Säulen und Wafer gesägt, welche zur Herstellung von Solarzellen und -modulen verarbeitet werden. Der Kristallisationsofen fasst regulär bis zu 500 Kilogramm Polysilizium und hat eine optimierte Hot Zone für einen Quarztiegel von 880 mm x 880 mm x 420 mm, die für einen effizienten Silizium-Schmelzvorgang und eine optimierte Prozessführung bei der Kristallisation sorgt. Auch bei der Kapazität des Kristallisationsofens wurden weitere Fortschritte gemacht: So ist der Hochleistungsofen ohne grundlegende Änderungen für bis zu 650 Kilogramm Polysilizium einsetzbar. 

Quelle: centrotherm photovoltaics AG

  

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